截胡高通蘋果！聯(lián)發(fā)科宣布首款2nm芯片9月流片快訊
這將是聯(lián)發(fā)科第一款2nm芯片，消息稱臺積電2nm晶圓的成本將比之前高出10%，聯(lián)發(fā)科今年9月發(fā)布的天璣9500仍然采用臺積電3nm制程。
5月20日消息，在先進(jìn)制程的賽道上，3nm制程的熱度還未完全消退，2nm制程的角逐已正式開啟，在蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科這三大巨頭里，聯(lián)發(fā)科的動作相對更快。
據(jù)媒體報(bào)道，聯(lián)發(fā)科首席執(zhí)行官蔡力行今天在COMPUTEX上發(fā)表主題演講，蔡力行表示，過去10年，全球有超過200億臺設(shè)備搭載聯(lián)發(fā)科芯片，地球上平均每人有2.5臺設(shè)備采用聯(lián)發(fā)科芯片。
他還宣布，聯(lián)發(fā)科2nm產(chǎn)品將于今年9月進(jìn)入流片階段，相較3nm制程，2nm性能將提升15%，功耗下降25%。
根據(jù)爆料的消息，聯(lián)發(fā)科今年9月發(fā)布的天璣9500仍然采用臺積電3nm制程，明年下半年的天璣9600則會升級為全新的臺積電2nm工藝，這將是聯(lián)發(fā)科第一款2nm芯片。
據(jù)悉，臺積電2nm制程采用全新的GAAFET(全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)架構(gòu)，相較于傳統(tǒng)的FinFET架構(gòu)，GAAFET架構(gòu)中的每個(gè)晶體管都采用了被柵極材料完全包裹的納米片結(jié)構(gòu)，這一變革大幅提升了晶體管密度，有效降低了漏電現(xiàn)象，并顯著降低了功耗。
伴隨著2nm時(shí)代的到來，其成本也會跟著水漲船高，消息稱臺積電2nm晶圓的成本將比之前高出10%，這將導(dǎo)致終端旗艦掀起新一輪漲價(jià)潮。（振亭）
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